Top.Mail.Ru
Физики впервые нашли тяжелые фермионы на границе атомарного слоя и металла — RuSamara | Информационная лента

Физики впервые нашли тяжелые фермионы на границе атомарного слоя и металла

12 октября 2026, 14:15 ·

Heavy Fermion at Interface

Ученые из Университета Осаки впервые напрямую зафиксировали необычное квантовое состояние, возникающее на границе между материалом толщиной в один атом и металлом. Исследование показало, что взаимодействие электронов в разных средах способно порождать так называемое тяжелофермионное состояние. По мнению специалистов, это открывает новые возможности для целенаправленного конструирования квантовых материалов.

Тяжелые фермионы возникают, когда сильное взаимодействие заставляет электроны вести себя так, будто их эффективная масса резко возрастает. Такие состояния тесно связаны с экзотическими квантовыми явлениями, в том числе с необычной сверхпроводимостью, при которой ток течет без сопротивления по механизмам, отличным от традиционных сверхпроводников. Именно поэтому физики стремятся понять, как и где формируются подобные состояния.

Для эксперимента исследователи вырастили высококачественный слой иттербия и меди (YbCu₂) толщиной в один атом на поверхности кристалла меди. Затем они облучили образец интенсивным синхротронным светом, чтобы изучить электронную структуру объединенных материалов и выявить взаимодействия на их границе. Такой подход позволил увидеть процессы, которые обычно скрыты от прямого наблюдения.

Измерения выявили два отдельных тяжелофермионных состояния. Одно из них было сосредоточено преимущественно внутри двумерного слоя YbCu₂, а другое распространялось в трехмерную медную подложку. Второе состояние сформировалось за счет гибридизации — процесса, при котором локализованные 4f-электроны иттербия взаимодействуют с подвижными электронами проводимости в металле. Это стало первым прямым экспериментальным подтверждением того, что тяжелофермионное состояние может возникать из-за электронных взаимодействий через подобную границу.

Полученные результаты говорят о том, что тяжелые электронные состояния можно сознательно создавать и контролировать, комбинируя подобранные атомные слои с подходящими подложками. Настройка атомного порядка на границе, участвующих электронных орбиталей и муаровых узоров (интерференционных картин, возникающих при наложении кристаллических решеток) может позволить получать квантовое поведение, недоступное в обычных материалах.

«Этот результат стал возможен благодаря нашим постоянным усилиям по созданию высококачественных материалов и максимально точному измерению их электронных состояний, — приводит слова старшего автора работы, профессора Синъити Кимуры, SciTechDaily. — Наша следующая цель — проектировать и управлять такими тяжелоэлектронными состояниями, открывая путь к ранее неизученным квантовым состояниям, включая необычную сверхпроводимость».