В России разработали метод исследования черного фосфора для будущей электроники

В России разработали новый метод исследования черного фосфора, который может стать основой для высокопроизводительной электроники. Ученые из Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета "ЛЭТИ" предложили способ, позволяющий изучать свойства этого материала как полупроводника. Это открывает двери для создания новых типов компактной электроники.

Специалисты уверены, что их метод будет полезен как в научных исследованиях, так и в производстве электроники, обеспечивая неразрушающий контроль качества продукции. Черный фосфор обладает уникальной структурой, которая позволяет создавать из него сверхтонкие проводящие пленки. Эти пленки могут найти применение в различных областях, включая связь, медицинскую диагностику и фотонику.

Метод основан на использовании фурье-спектрометра для измерения характеристик черного фосфора. Это позволяет получить точные данные о его полупроводниковых свойствах. Такой подход может стать ключом к созданию нового поколения электроники на основе фотоники.

Разработка ученых ЛЭТИ была запатентована и стала частью их большой работы по исследованию перспективных наноматериалов для электроники. Это открытие может сыграть значительную роль в развитии современных технологий.