Китайский производитель CXMT объявил о начале серийного выпуска пятого поколения платформы для микросхем памяти. Технология предназначена для создания более емких чипов DRAM при сниженных расходах и энергопотреблении.
Как сообщает Reuters, компания использует метод четверного формирования рисунка. Он позволил уменьшить расстояние между элементами ячеек памяти до 11,95 нанометра.
На Всемирной производственной конференции 2026 года CXMT показала два чипа LPDDR5X емкостью 24 гигабита. Они рассчитаны на смартфоны и другую портативную электронику.
Новые микросхемы хранят на 50% больше данных, чем предыдущие модели компании. Выход кристаллов с одной кремниевой пластины, по данным CXMT, также увеличился как минимум на 50%.
Платформа разрабатывалась с использованием моделирования и при участии китайских производителей оборудования. CXMT конкурирует на рынке памяти, где основными поставщиками остаются Samsung, SK Hynix и Micron.