Китайская компания CXMT сообщила о переходе пятого поколения своей платформы для микросхем памяти к массовому производству. Разработка предназначена для выпуска более совершенных DRAM с меньшей себестоимостью и энергопотреблением.
В производстве применяется технология четверного формирования рисунка. Она позволила уменьшить расстояние между элементами ячеек памяти до 11,95 нанометра.
На Всемирной производственной конференции 2026 года CXMT представила два чипа LPDDR5X емкостью по 24 гигабита. Они рассчитаны на смартфоны и другую портативную электронику.
По сравнению с прежними продуктами новые микросхемы вмещают на 50% больше данных. Компания также заявила как минимум о 50-процентном увеличении числа кристаллов, получаемых с одной кремниевой пластины.
По информации Reuters, платформу создавали с применением моделирования и при участии китайских изготовителей оборудования. Проект должен усилить позиции CXMT на рынке, где лидируют Samsung, SK Hynix и Micron.