Китайский производитель ChangXin Memory Technologies сообщил о начале массового производства платформы DRAM пятого поколения. Компания позиционирует разработку как более производительную и экономичную по энергии.
Технология предусматривает расстояние между структурами 11,95 нанометра и использует четырехкратное формирование рисунка. Вице-президент CXMT Ло Сяодун заявил, что процесс сопоставим с передовыми узлами, уже выпускаемыми серийно.
На новой платформе созданы два 24-гигабитных чипа LPDDR5X в разных корпусах. Они вмещают на 50% больше данных, чем прежние аналоги, и уже поступили в массовое производство, сообщает Reuters.
CXMT также утверждает, что пятое поколение позволяет получить как минимум на 50% больше необработанных кристаллов с одной пластины по сравнению с четвертым поколением при базовом объеме восемь гигабит. Этот показатель рассчитывается до учета дефектов.
Разработка велась с применением моделирования и при участии китайских производителей оборудования. На мировом рынке DRAM CXMT конкурирует с Samsung Electronics, SK Hynix и Micron Technology.